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2015年3月6日 碳化硅单晶具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好[1]等优点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景,用其制成的器件可在600 °C以上的高温环境中使 摘要 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理。综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法。Boltzmann-弛豫时间近似(RTA)适用于各个温度段的热导率计算,而分子动 碳化硅材料热导率计算研究进展-【维普期刊官网】- 中文期刊 ...
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2015年3月3日 碳化硅材料热导率计算研究进展. 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理.综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法.Boltzmann-弛豫时间近似 (RTA) 一般来说，在特定温度范围内，温度越高，碳化硅的热导率越高。 晶体结构： 导热性随晶体结构的不同而变化，例如碳化硅、4H SiC 和 6H SiC 的不同晶体形态。碳化硅导热性简介 - 亚菲特
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2022年1月28日 本文将针对高导热碳化硅, 特别是碳化硅晶圆,介绍目前常用的几种热导率测试方法, 并做出分析, 对热导率测试方法的选择给出参考意见。 二、激光闪光法. 闪光法(F l a s h M 碳化硅陶瓷内部存在的晶格氧、晶界、气孔等缺陷导致其室温热导率远低于碳化硅 单晶理论室温热导率。 综述了添加剂、烧结工艺等因素对碳化硅陶瓷室温热导率的影响,并对高导高导热碳化硅陶瓷的研究进展 - cmes
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碳化硅作为第三代半导体中的典型材料,由于其优越的性能,例如高硬度,高热导率,高禁带宽度等,现在已经逐渐在半导体领域占据更大的应用领域和市场份额.碳化硅单晶的生长已经有了相对成熟 其中，碳化硅（SiC）由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。 除此之外，SiC具有的高导热系 碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展
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2008年12月19日 结果表明，完美的2H-、3C-、4H-和6H-SiC多型体的热导率在260～420 W/ (mK)范围内，其中3C-SiC的热导率最大。 多型之间。 4H-SiC的热导率随着杂质浓度 2015年3月3日 碳化硅材料热导率计算研究进展. 从声子散射机制出发，介绍了SiC热导率的温度特性和微观导热机理。. 综述了SiC单晶热导率的2种主要计算方法。. Boltzmann-弛豫时间近似 碳化硅材料热导率计算研究进展 - Open Access Library
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2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。 2022年1月28日 摘要：做为新一代半导体材料的3C、4H和6H碳化硅，其显著特点之一是具有比银和铜更高的热导率。热导率是评价这些高导热碳化硅晶圆的重要技术指标，而准确测试碳化硅晶圆热导率则需要对测试方法进行合理的选择。本文将针对高导热碳化硅晶圆，介绍目前高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆导热系数测试方法选择
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2022年10月31日 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)是由碳原子和硅原子形成强共价键组成的四面体, 具有高硬度、高强度、高导热(490 W/(mK)) [9] 以及良好的热稳定性等特点, 被广泛应用于热交换部件和电子基板等 [10]。但是, 碳化硅陶瓷材 2023年5月4日 导热性能更好的碳化硅基体；设计预制体结构用以建立连续导热通路等方法，提高碳化硅陶瓷基复合材料的热导率 。此外，本文展望了高导热碳化硅陶瓷基复合材料后续研究方向，即综合考虑影响碳化硅陶瓷基复合材料性能要素，优化探索高效 ...热管理用高导热碳化硅陶瓷基复合材料研究进展 - 知乎
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2024年1月2日 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为9.2～9.5，但比金刚石、立方氮化硼等几种物质稍低。碳化硅的热导率很高，大约为氮化硅的2 倍；其热膨胀系数约为三氧化二铝的一半；抗弯强度接近氮化硅材料，但断裂韧性比氮化硅小。不溶于水和一般的酸。其 ...采用Tersoff势测试和研究了反向非平衡分子动力学中的Müller-Plathe法和Jund法在一维纳米管热传导中的应用. 在相同的模拟步数中, Müller-Plathe法可以得到很好的结果, 热导率在交换频率大于50时对参数的选择并不敏感. 然而, Jund法并不能得到良好的线性温度梯度, 其热导率在一定程度上依赖于选择的热流大小.碳纳米管和碳化硅纳米管热导率的分子动力学研究
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2011年8月8日 摘要： 本文研究了n型,V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化.采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T),对比发现n型样品具羊高的热扩散系数.差热扫描量热法(DSC)测试了n型,V掺杂补偿半绝缘 ...随着社会的发展和科学技术的进步，电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化，而效能提升随即带来对导热散热的高需求。其中，碳化硅（SiC）由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展
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碳化硅(SiC)由于性能优异, 已广泛应用于核技术领域. 在辐照环境下, 载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置, 进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷, 这些缺陷将改变材料的热物性能, 劣化材料的服役性能. 因此, 本文利用平衡分子动力学方法(Green-Kubo方法)采用Tersoff型势函数 ...2022年12月16日 这与预测理论相矛盾，即结构复杂性和热导率是称反比的（随着结构复杂性的增加，热导率应该下降）。 Zhe表示，3C-SiC不是一种新材料，但研究人员之前遇到的3C-SiC都具有晶体质量和纯度差的问题，导致他们测量的热导率低于碳化硅的其他相。突破难题：立方SiC晶圆表现出仅次于金刚石的高导热性
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综上所述,高热导率添加剂提高碳化硅陶瓷热导 率的机理可归纳为:(1)添加剂具有超高的热导率; (2)添加剂具有高的电子迁移率,增加了碳化硅陶瓷 基体中自由移动载流子数量;(3)添加剂与碳化硅颗 粒表面SiO2发生反应,降低SiC晶格氧含量和缺陷2022年1月28日 的热导率。热导率是评价这些高导热碳化硅晶圆的重要技术指标，而准确测试碳化硅晶圆热 导率则需要对测试方法进行合理的选择。本文将针对高导热碳化硅晶圆，介绍目前常用的几 种热导率测试方法，并做出分析，对热导率测试方法的选择给出参考意见。高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择.cdr
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2017年9月24日 有资料显示，碳化硅晶体的导热率是490（紫铜的导热率为400）；碳化硅陶瓷的导热率大约为45。 导电的也有呀，叫做硅碳棒，但是不是纯碳化硅，是要在碳化硅陶瓷体内渗透硅再烧结形成的。2023年10月9日 目前碳化硅（SiC）是国内外研究较为活跃的导热陶瓷材料。SiC的理论热导率非常高，有些晶型可达到270W/mK ，在非导电材料中已属佼佼者。例如，在半导体器件的基底材料、高导热陶瓷材料、半导体加工的加热器和加热板、核燃料的胶囊材料以及 ...高导热碳化硅陶瓷在半导体领域的需求及应用 - 技术科普 ...
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铝碳化硅导热率-铝碳化硅（AlHale Waihona Puke Baiduminum Silicon Carbide，简称AlSiC）是一种复合材料，由铝基体和碳化硅颗粒组成。它具有优异的导热性能，是一种常用的散热材料。铝碳化硅的导热率通常在100-200 W/mK之间，具体数值取决于材料的摘要： SiC陶瓷具有优异的力学性能,热学性能,抗热震性能,抗化学侵蚀性能和抗氧化性能,是热交换器设备的常用基体材料.由于原料,成型工艺,烧成工艺和烧结助剂等因素制约,SiC陶瓷含有较多气孔,晶界,杂质和缺陷,导致其常温热导率(≤270 Wm^(-1)K^(-1))低于碳化硅单晶材料(6H-SiC,490 Wm^(-1)K^(-1)),且不同 ...碳化硅陶瓷导热性能的研究进展 - 百度学术
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2018年1月26日 碳化硅材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系.pdf,华 南 理 工 大 学 学 报 自 然 科 学 版 第 卷 第 期 年 月 ’ 材料导热系数和热膨胀系数与温度关系 吴清仁 文 璧漩 华南理工大学无机材料科学 与工程 系 。 摘 要 研 究冷等静压 材料导热 系数和热膨胀系数与温度 的关 系 结果表 2023年11月30日 摘要 本文介绍了通过不同方法获得的碳化硅和氮化硅材料的热导率与温度的关系。研究了通过反应（SiSiC）和液相（LPSSiC）烧结获得的碳化硅材料以及通过液相烧结（SSN）获得的氮化硅材料的导热性。给出了导热系数对密度、孔隙率和氧化物添加 ...碳化硅和氮化硅基材料的热导率研究,Steel in Translation - X-MOL
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2023年12月14日 热导率Thermally Conductive是衡量材料传递热量的能力。 具有高导热性的材料可以有效地传递热量并容易从环境中吸收热量。 不良的热导体会阻碍热流并从周围缓慢获取热量。 根据 S.I（国际系统）指南，材料的热导率以瓦特每米每开尔文 (W/m•K) 为单位进行2021年10月2日 随着孔径和SiC粒径的增加，陶瓷的抗弯强度和电阻率显着下降，而渗透率和热导率显着增加。 孔径为 45.5 μm、孔隙率为 37.8% 的多孔 SiC 表现出 21.2 × 10 -12 m 2的高渗透率，20.6 MPa 的较高弯曲强度，3.8 × 10 5 Ω cm 的中等电阻率和 66.4 Wm -1 K -1 的高导热率。碳化硅粒径对大孔碳化硅抗弯强度、渗透率、电阻率和热导率 ...
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2020年12月7日 ③碳化硅 主要性能指标 SiC是共价键很强的化合物，主要性能指标见表1.1。物性参数 ... SiC的热导率较高，是Si的三倍，其传热与散热特性较好，有助于提高期间的集成度和功能密度。在35atm下，温度在2830℃时发现SiC的转熔点，质谱分析表明Si-C键能 ...2008年12月19日 我们通过分子动力学模拟计算了 SiC 的热导率，并研究了杂质对 SiC 热导率的影响。我们使用 Tersoff 势来表达 SiC 晶体的结构。使用 Green-Kubo 方程获得热导率。结果表明，完美的2H-、3C-、4H-和6H-SiC多型体的热导率在260～420 W/(mK)范围内 ...分子动力学计算碳化硅热导率,Japanese Journal of Applied ...
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2015年3月3日 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理.综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法.Boltzmann-弛豫时间近似(RTA)适用于各个温度段的热导率计算,而分子动力学方法更适用于高温热导率计算.分子动力学方法相比于Boltzmann-RTA方法的2016年6月3日 电子封装。但可伐的热导能力低下如木材，无法把 热量传导出去。陶瓷材料太脆，也无法制作成大面 积的板材，不能实现基本的芯片保护功能。 热管理学科中，钨铜是二代封装材料的代表，有和芯片匹配的热膨胀系数，有高达180W/mK 的 热导率。铝碳化硅(AlSiC)复合材料及产品介绍
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2017年5月27日 从碳化硅热导率计算的角度出发，介绍了碳 化硅单晶和陶瓷材料热导率的研究进展。 1 晶格热导及碳化硅的热导率 1.1 晶格热导 固体中的热传导是由温度梯度产生的，通过热 流密度公式[6] ： dT Q K (1) dz dT 式中：Q 为热流密度；T ...2023年5月6日 通过第一性原理，该团队揭示：室温下β-Si3N4的理论热导率上限沿c和a轴分别只有169和57 W/mK ，并不是之前认为的450 W/mK。此预测不需要依靠拟合参数或经验势函数，因此普遍比较准确。通过预测值与多组实验数据在较宽温度范围内的比较，研究者 ...氮化硅(Si3N4)的理论热导率上限 - 知乎
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热导率λ很大的物体是优良的热导体；而热导率小的是 热的不良导体 或为热绝缘体。 λ值受温度影响，随温度增高而稍有增加。若物质各部之间温度差不很大时，在实用上对整个物质可视λ为一常数。2020年9月11日 由于碳化硅（SiC）陶瓷基复合材料具有比Zircaloy更高的事故承受能力，因此正在被研究作为新一代燃料覆层材料。SiC / SiC复合材料中SiC成分及其界面和相间的导热系数需要作为熔覆性能模型的输入。我们使用时域热反射（TDTR）来绘制空间分辨率 ...SiC / SiC复合材料的高空间分辨率热导图,Journal of Nuclear ...
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2023年3月8日 碳化硅(SiC) 具有出色的导热性。最近，在含有 Y 2 O 3 -Sc 2 O 3的多晶 SiC 陶瓷液相烧结 (LPS) 中获得了 261.5 W/mK 的热导率添加剂在 2050 °C 和氮气气氛下。从使用的添加剂到选择的烧结气氛，许多因素都会影响 SiC 的热导率。在这篇综述中 ...
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